场效应管通俗易懂的使用方法

输入阻抗

输入阻抗包括感抗、容抗、电阻

输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样,它反映了对电流阻碍作用的大小。

对于电压驱动的电路,输入阻抗越大,则对电压源的负载就越轻,因而就越容易驱动;(电阻越大,电阻两端分得的电压也就越大)

而对于电流驱动型的电路,输入阻抗越小,则对电流源的负载就越轻。(电阻越小,电流就接近电源电流)

因此,我们可以这样认为:如果是用电压源来驱动的,则输入阻抗越大越好;如果是用电流源来驱动的,则阻抗越小越好(注:只适合于低频电路,在高频电路中,还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取最大输出功率时,也要考虑阻抗匹配问题。)


 输出阻抗

阻抗是电路或设备对交流电流的阻力,输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小,驱动更大负载的能力就越高。

场效应管通俗易懂的使用方法

会用为先,再来理解,一举拿下,两全其美。

场效应管和三极管一样,也是三个引脚,里面也有PN结区域,P表示空穴(正电子),N表示负电子。

N沟道结型场效应管:栅极G电流向内流

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P沟道结型场效应管:栅极G电流向外流

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 N沟道结型场效应管内部原理图

 

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增强型:EMOS

耗尽型:DMOS

N沟道:NMOS

P沟道:PMOS

N沟道EMOS模型

 

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N沟道EMOS管外部工作应满足的条件:

1.VDS > 0(漏极和源极之间的电压必须大于0,保证漏衬PN结反偏)

2.U接电路最低电位或S极(保证源衬PN结反偏)

3.VGS > 0(形成导电沟道)

总结:对于N沟道EMOS管常规操作方法:S极接电源的负极是D极的公共端,所以可以在D极上串联一个负载,负载的另一端接电源+,而G极高电平接通SD端,而低电平断开SD端。P沟道EMOS管与N沟道EMOS管逻辑相反,不同之处在于G极是低电平导通SD端且D极接GND,高电平断开。

全部用法:https://wenku.baidu.com/view/91fd27116f1aff00bfd51ebc.html

举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。

N沟道MOSFET管用法:(栅极G高电平D与S间导通,栅极G低电平D与S间截止,P沟道与之相反)N沟道MOSFET管用法:(栅极G高电平D与S间导通,栅极G低电平D与S间截止,P沟道与之相反)N沟道MOSFET管用法:(栅极G高电平D与S间导通,栅极G低电平D与S间截止,P沟道与之相反)分享图片

 漏极输出:G高电平有效(高电平时SD导通,S接低电平为D的公共端)

 源极输出:G低电平有效(低电平时SD导通,D接低电平为S的公共端)

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